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本发明公开了一种RF‑LDMOS短栅低方阻值栅硅化物的形成方法，使用硅化物低阻栅、增加隔离等工艺技术以及优化单元器件结构及多子管并联方式，最终设计成低寄生效应的大栅宽LDMOS高功率密度版图。在0.25微米栅长的栅条上，经过金属和硅的物理‑...
该专利属于江苏博普电子科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏博普电子科技有限责任公司授权不得商用。

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