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本发明是一种制备高ＳｉＣ颗粒体积分数高性能结构件工艺，在８０℃－１２０℃对块状基体金属合金进行干燥处理后，在电阻炉中加热熔化，合金在完全熔化后保温静置２０－３０分钟；向保温静置后的合金液加入体积分数为１０％－３０％ＳｉＣ颗粒，边加入边均匀搅...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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