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本发明公开的一种提高ZnO纳米棒阵列光催化性能的方法，具体按照以下步骤实施：首先，ZnO种子层衬底的制备，其次，ZnO纳米棒阵列薄膜的制备，最后，将所制备得到的ZnO纳米棒阵列薄膜的进行进一步处理，在压电光催化过程中，开启紫外灯管，运行摇床...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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