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本发明揭示了一种深槽的制作方法。包括：提供前端结构，所述前端结构形成有初始深槽；在所述前端结构上顺次形成AMR层、第一阻挡层和第二阻挡层；在所述初始深槽中填充光刻填充材料层，并覆盖前端结构；形成图案化的第一光阻层，之后对光刻填充材料层进行开...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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