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本发明涉及功率半导体器件的高电压终止结构。功率半导体器件包括：半导体本体，被耦合至第一负载端子和第二负载端子并且包括具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区；有源区，具有至少一个功率单元，至少一个功率单元至少部分延伸到半导体本体中且与第一负载端子电...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。

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