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本发明公开了载流子浓度调制型高迁移率场效应晶体管及其制造方法，包括位于底部的器件衬底，器件衬底上表面形成有外延层，外延层的两端部形成有源极欧姆接触和漏极欧姆接触，外延层与器件衬底之间界面处形成有一定的载流子浓度调制的二维电子气，外延层上端形...
该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。

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