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本发明提供了一种基于横向沟道调制的GaN基增强型场效应晶体管，主要解决现有同类器件由隧穿引起的漏电和阈值电压不足的问题。其自下而上包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的两端设有源电极和漏电极，源电极和漏电...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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