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本申请属于单晶硅生产技术领域，具体涉及一种直拉法制备单晶硅的方法，单晶炉完成硅料熔化之后，单晶炉加热功率快速下降，温控器控制单晶炉的炉内温度稳定后，籽晶接触液面后引颈，引颈一定高度后，无位错开始放肩，放肩后长晶，单晶炉加热功率分步逐降，长晶...
该专利属于邢台晶龙电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过邢台晶龙电子材料有限公司授权不得商用。

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