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本发明公开了一种用于提高β晶相含量的PVDF‑HFP/GO复合薄膜制备方法，涉及在PVDF‑HFP/Graphene oxide复合薄膜中提高β晶相含量的复合薄膜的制备方法，其目的在于提供一种提高PVDF‑HFP压电复合薄膜β晶相含量方法，...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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