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本发明涉及一种用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法，属于碳化硅技术领域。本发明设计了的用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法，该用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法制备出来的SiC承载盘，能够很好的替代传统的承载盘，该...
该专利属于苏州纳朴材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州纳朴材料科技有限公司授权不得商用。

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