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本发明提供一种基于GaN材料的RGBW四色LED芯片的制备方法，包括：选择蓝宝石作为衬底(11)；在所述衬底(11)上生长蓝光材料，其中，所述蓝光材料包括GaN；对所述蓝光材料进行选择性刻蚀以形成红光灯芯槽；在所述红光灯芯槽中生长红光材料；...
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