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本发明提供基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片的制备方法、LED芯片和LED灯，制备方法包括：在衬底上制备蓝光发光组件；在蓝光发光组件上制备红光发光组件；在蓝光发光组件上制备绿光发光组件；形成白光发光组件；在蓝光发光组件、红光发光组件...
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