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本申请公开了一种提高发光效率的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长InN层、生长InGaN：Mg层、交替生长InxGa(1‑x)N/GaN发光层、生长P型AlGa...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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