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本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及阵列基板的制备方法，该薄膜晶体管包括：第一半导体层；第二半导体层，分别覆盖在所述第一半导体层的两端；其中，所述第一半导体层的致密度大于所述第二半导体层的致密度。通过上述结构的薄膜晶体管，能够提高薄膜晶体...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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