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本发明涉及一种双极晶体管的制作方法。所述制作方法在形成发射极多晶硅与基极多晶硅之间的隔离侧墙时，包括以下步骤：在所述氧化层及所述第一氧化硅上依序形成氮化硅层、第二多晶硅层及TEOS层，对所述TEOS层进行回刻，从而去除所述第二多晶硅层上的部...
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