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本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括选定一衬底，并在所选衬底的上方，依序由下往上分别形成底部栅极、栅极绝缘层和源漏极；其中，所述底部栅极和所述源漏极均采用功函数可调的导电金属氧化物为金属导电极；冲洗及吹干所选衬底的源漏极，且待对吹干后的...
该专利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。

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