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低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法。本申请提出一种低温多晶硅薄膜的制造方法，包括：在一衬底上形成一缓冲层，在所述缓冲层上形成一硅层；粗糙化所述硅层的表面，以形成不平整表面作为再结晶成长空间；对所述硅层进行退火以形成一多晶硅层，并使所述多晶硅层...
该专利属于惠科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过惠科股份有限公司授权不得商用。

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