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本发明公开了一种提取纳米MOSFET中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法，包括以下步骤：(1)纳米CMOS器件中，测量不同源漏电压Vds条件下的阈值电压VT、线性区漏极电流Ids；(2)根据测量结果选取合适的外加偏压条件，保证沟道迁移率在该条件...
该专利属于鲁明亮所有，仅供学习研究参考，未经过鲁明亮授权不得商用。

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