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本申请公开了功率半导体器件。所述功率半导体器件包括：位于半导体衬底的第一表面上的外延层，半导体衬底的第一表面附近具有第一掺杂浓度且第二表面附近具有第三掺杂浓度，第二表面与第一表面彼此相对，外延层具有第二掺杂浓度；位于半导体衬底和外延层之间的...
该专利属于杭州士兰集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰集成电路有限公司授权不得商用。

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