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本实用新型涉及半导体器件。半导体器件包括：半导体材料区，有主表面并形成经电荷补偿的沟槽结构，该结构从主表面延伸到半导体材料区中达第一深度并包括第一导电类型半导体材料的导通层和第二导电类型半导体材料的补偿层，第二与第一导电类型相反；第一沟槽结...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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