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本发明公开了一种制备大面积二硫化钼薄膜的沉积方法，该方法的特征是采用六羰基钼（Mo(CO)6）、二硫化二甲基（C2H6S2）作为钼和硫的前躯体源进行原子层沉积（ALD），采用常规原子层沉积设备，通过优化反应参数，得到大面积的二硫化钼薄膜材料...
该专利属于云南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过云南师范大学授权不得商用。

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