温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

采用栅极‑源极短路模式的单片集成MOS沟道作为功率MOSFET的第三象限传导路径的二极管。MOS二极管和MOSFET可以构造成包括分裂单元和沟槽的各种配置。器件可以由碳化硅、氮化镓、氮化铝、氮化铝镓、金刚石或类似的半导体形成。MOS二极管的...
该专利属于美国联合碳化硅公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国联合碳化硅公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。