下载半导体装置的技术资料

文档序号:17746680

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

第三伪沟槽(11)在衬底端部的伪单元区域与第一以及第二伪沟槽(9、10)正交。层间绝缘膜(13)使由第一以及第二伪沟槽(9、10)夹持的衬底中央部的伪单元区域的p型扩散层(3、4)与发射极电极(14)绝缘。第三伪沟槽(11)将衬底中央部的伪...
该专利属于三菱电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。