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HEMT单元包括彼此串联地电连接的两个或更多个氮化镓(“GaN”)高电子迁移率晶体管(“HEMT”)器件。HEMT单元包括HEMT单元漏极、HEMT单元源极和HEMT单元栅极。HEMT单元漏极与该串联中的第一个GaN HEMT器件的漏极连接...该专利属于泰戈尔技术股份有限公司;马尼沙·N·沙哈;阿米塔瓦·达斯所有，仅供学习研究参考，未经过泰戈尔技术股份有限公司;马尼沙·N·沙哈;阿米塔瓦·达斯授权不得商用。