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本文描述了组合物、氮化硅膜和使用至少一种环二硅氮烷前体形成氮化硅膜的方法。在一个方面中，提供了一种形成氮化硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应器中提供衬底；向所述反应器内引入至少一种包含烃离去基团和两个Si‑H基团的环二硅氮烷，其中该至...
该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。

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