温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE‑AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。