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一种非金属催化剂SiC制备半导体性单壁碳纳米管的方法技术
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下载一种非金属催化剂SiC制备半导体性单壁碳纳米管的方法的技术资料
文档序号:17725735
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本发明涉及半导体性单壁碳纳米管控制制备领域,具体为一种非金属催化剂SiC制备半导体性单壁碳纳米管的方法。以离子溅射方法获得的碳化硅纳米颗粒为催化剂,先在高温、氢气气氛预处理,使碳化硅纳米颗粒表面的硅原子蒸发,在表面留下的碳原子形成碳帽;再在...
该专利属于中国科学院金属研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。
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