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本实用新型公开了一种带有高效降温结构的IGBT功率管，所述IGBT功率管的两侧表面下部均开设有卡接槽，所述插接槽的两侧壁下部均内嵌装设有卡接件，所述安装基座的上表面还涂覆有感温变色涂料，所述安装基座的内部开设有冷却水通道，所述散热槽的内部加...
该专利属于广东瑞森半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东瑞森半导体科技有限公司授权不得商用。

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