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本发明提供了一种可应用于SiC大尺寸高压器件终端结构的新型碳化硅小角度倾斜台面终端结构及其制备方法，此类高压器件包括SiC GTO、SiC PiN以及其他使用小角度倾斜台面终端结构的SiC器件；本发明的刻蚀技术使用AZ4620厚光刻胶作为掩...
该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。

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