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本实用新型公开了一种浪涌保护器，涉及半导体器件领域，该浪涌保护器采用多芯片串联结构封装，TVS的正极连接浪涌保护器的第一端，TVS的负极通过固体放电管连接浪涌保护器的另一端；该浪涌保护器集成TVS和固体放电管的特性，当正向浪涌发生时，利用固...
该专利属于力特半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力特半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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