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本实用新型提供了一种具有n型导电沟道的半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括衬底，衬底的上表面设有高阻金刚石层，高阻金刚石层的上表面设有具有施主特性且组分缓变的三元化合物形成的第一施主层，在高阻金刚石层与第一施主层的界面处形成一个缓变异质...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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