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本发明涉及一种压应变Ge材料的制备方法，包括：选取单晶Si衬底；在所述Si衬底表面淀积Si1‑xGex外延层；在所述Si1‑xGex外延层表面淀积SiO2保护层；利用激光再晶化工艺晶化包括所述Si衬底、所述Si1‑xGex外延层、所述SiO...
该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。

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