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本发明涉及一种高结晶质量石墨烯的制备方法，该方法包括：选取SiC衬底；刻蚀SiC衬底形成台面结构的预刻蚀衬底；在所述预刻蚀衬底上生长3C‑SiC材料；热解3C‑SiC材料，以完成高结晶石墨烯的制备。本发明通过预刻蚀SiC衬底，有效隔离缺陷间...
该专利属于重庆文理学院所有，仅供学习研究参考，未经过重庆文理学院授权不得商用。

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