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本发明公开了半导体器件和用于形成半导体器件的方法。半导体器件包括晶体管布置和二极管结构。二极管结构耦合在晶体管布置的栅极电极结构和晶体管布置的源极电极结构之间。绝缘层垂直地在半导体器件的二极管结构和半导体衬底的正侧表面之间定位。二极管结构包...
该专利属于英飞凌科技德累斯顿有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技德累斯顿有限责任公司授权不得商用。

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