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本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体工艺技术领域。该制造方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括衬底、在衬底上的第一材料层，衬底中形成有凹陷，第一材料层包括纳米线；在衬底结构上形成基础层，在基础层上选择性生长石墨烯层；在石墨烯层上...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。