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本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：形成生长衬底，形成生长衬底包括：提供衬底结构，衬底结构包括牺牲衬底和在牺牲衬底上的第一电介质层，衬底结构中形成有贯穿第一电介质层的多个凹陷，并且凹陷的底部和部分侧壁...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。