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本发明涉及氮化物晶体衬底的制造方法及氮化物晶体层叠体。本发明的课题在于提供一种使晶体膜在集合晶种衬底上生长的技术，本发明的所述技术能够提高在相邻的晶种衬底的抵接部上生长的晶体膜的晶体质量。氮化物晶体衬底的制造方法包括下述工序：第1工序，将由...
该专利属于赛奥科思有限公司;住友化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过赛奥科思有限公司;住友化学株式会社授权不得商用。

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