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本发明提供一种超结功率器件及其制造方法，该方法包括：在具有第一掺杂类型的基底中形成第二掺杂类型的柱状掺杂区；在形成有柱状掺杂区的基底上，形成具有第一掺杂类型的第一外延层，第一外延层与柱状掺杂区接触；在第一外延层上形成栅极结构；在栅极结构两侧...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。