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一种制作T型栅结构的电子束光刻方法，包括以下步骤：在GaN异质结平面材料上，涂覆低灵敏度高光刻剂量的一号光刻胶并烘烤；再在一号光刻胶上涂覆二号光刻胶并烘烤；二号光刻胶采用PMMA‑MAA胶，PMMA‑MAA胶的灵敏度高于PMAA，光刻剂量低...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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