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形成包含楼梯台阶型结构的半导体装置结构的方法及相关半导体装置制造方法及图纸
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文档序号:17599693
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本申请案涉及形成包含阶梯台阶型结构的半导体装置结构的方法及相关半导体装置。一种形成半导体装置结构的方法包括:在衬底上方形成堆叠结构,所述堆叠结构包括若干层级,所述层级各自独立地包括牺牲结构及纵向地邻近所述牺牲结构的绝缘结构。在所述堆叠结构的...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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