温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型公开了一种叠加式瞬间抑制二极管,包括装置本体,所述装置本体由设置在该装置本体顶部的提板和设置在该提板底部的基板构成,该种叠加式瞬间抑制二极管,采用硅双向瞬态电压抑制技术,双向抑制,大大增强瞬间吸收的功率,也大大的提高了该元件工作时...该专利属于苏州普罗森美电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州普罗森美电子科技有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型公开了一种叠加式瞬间抑制二极管,包括装置本体,所述装置本体由设置在该装置本体顶部的提板和设置在该提板底部的基板构成,该种叠加式瞬间抑制二极管,采用硅双向瞬态电压抑制技术,双向抑制,大大增强瞬间吸收的功率,也大大的提高了该元件工作时...