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半导体装置具备TFT(101)，该TFT(101)具有：栅极电极(12)；栅极绝缘层(14)，其覆盖栅极电极；金属氧化物层(16A)，其包括沟道区域(16c)、源极接触区域(16s)以及漏极接触区域(16d)；第1电极(18A)，其与源极接...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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