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硅基板用分析装置制造方法及图纸
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文档序号:17572305
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本发明提供一种能够借由ICP‑MS将在成膜形成有膜厚较厚的氮化膜或氧化膜的硅基板中的微量金属等的杂质高精确度地分析的硅基板用分析装置。本发明的硅基板用分析装置具备承载端口、基板搬运机器人、对准器、干燥室、气相分解处理室、具有分析载物台及基板...
该专利属于埃耶士株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过埃耶士株式会社授权不得商用。
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