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本发明公开了基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法,它涉及LED光源技术领域。基材的上方通过基材填充胶材与LED支架固定连接,LED支架采用倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置,所述的支架杯底安装有芯片,芯片上焊接有金线,芯片和金线的上...该专利属于深圳市斯迈得半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市斯迈得半导体有限公司授权不得商用。
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本发明公开了基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法,它涉及LED光源技术领域。基材的上方通过基材填充胶材与LED支架固定连接,LED支架采用倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置,所述的支架杯底安装有芯片,芯片上焊接有金线,芯片和金线的上...