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本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种GaN基单片集成式半桥电路。与常规的由分立器件组成的半桥电路不同的是，本发明将两个增强型GaN HEMT及GaN基二极管集成至同一芯片模块上，这便于降低寄生电感，增加开关管开关速度，...该专利属于电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院授权不得商用。