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本发明涉及一种氧化镓相结纳米柱阵列及其制备方法，包括衬底，位于衬底上的Ga2O3籽晶层，位于Ga2O3籽晶层背离衬底层方向的有序的Ga2O3相结纳米柱阵列，所述Ga2O3纳米柱阵列由α‑Ga2O3和β‑Ga2O3构成相异质结构成。本发明通过...
该专利属于浙江理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江理工大学授权不得商用。

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