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一种氮化物发光二极管制造技术
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下载一种氮化物发光二极管的技术资料
文档序号:17543150
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本发明公开了一种氮化物发光二极管,包括:N型氮化物半导体,具有V‑pits的多量子阱,V‑pits调制填充层,电子阻挡层以及P型氮化物半导体,其特征在于:多量子阱和电子阻挡层之间或电子阻挡层和P型氮化物半导体之间至少具有一层V‑pits调制...
该专利属于厦门三安光电有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门三安光电有限公司授权不得商用。
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