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本发明揭露一种记忆体结构与其制备方法。记忆体结构包含一绝缘层、一穿孔、一导电接触以及一记忆体单元。穿孔贯穿此绝缘层。导电接触则位于穿孔中，并具有一第一高度与一第二高度，且第一高度与第二高度之间具有一高度差。而记忆体单元位于导电接触上。...该专利属于江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司授权不得商用。