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本发明公开了一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法，主要解决现有方法测量结温偏低的问题，其实现方案是：采用脉冲测试方法对器件的肖特基正向特性进行测试，提取栅源电阻RS0与肖特基串联电阻RT0随温度的变化关系，结合上述两者得到...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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