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本发明公开一种有源区域结构以及其形成方法。该有源区域结构，包含元件区域、有源层以及浅沟槽绝缘层。元件区域是定义在一基底上。有源层是由该基底的顶部所构成，具有多个元件单元在该元件区域内，以及边界结构围绕该元件区域，其中该边界结构具有至少一个分...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。